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技術文章
TECHNICAL ARTICLES氧化銦錫(ITO)晶體結構氧化銦錫(ITO)是通過用錫摻雜In2O3而形成的n型半導體，晶體結構是In2O3結構，其中In2O3結構具有兩種形態，一種是立方鐵錳礦結構，另一種是六方剛玉結構。立方鐵錳礦結構是常見的In2O3結構，如圖1所示。當將氧化錫摻雜到氧化銦中以形成氧化銦錫固溶體時，一種高度簡并的n型半導體得以產生，其中一定數量的In3+位置被Sn4+取代了，導致ITO晶格中出現大量點缺陷，同時產生大量自由電子，點缺陷和自由電子可充當電場下的載流子，因此表現出了優異的導電...
真空燒結爐是一款特別適合硬質合金行業的性能智能化電爐。該燒結爐是一種間歇式氣體（真空）保護爐，按照燒結工藝時間的需要可以單套電源配置多臺電爐，分別對單個爐子進行通電升溫和段電降溫，實現連續工作。那么該設備在日常中應該如何檢修？出現故障后又應該如何進行有效的處理？下面請跟隨皓越一起來學習吧！真空燒結爐的日常檢修：1、對有氣鎮功能的其空泵，應在每日開爐前檢查并根據需耍開啟30min，以排除泵油中的水分。2、經常檢查冷卻水、壓縮空氣、液壓系統的壓力以及冷卻水的流動情況。3、對爐門的...
透明導電氧化物（TransparentConductiveOxide，TCO）是一種在可見光光譜范圍（380nm＜λ＜780nm）透過率很高且電阻率較低的薄膜材料，由于其良好的光電性能在節能玻璃、熱窗、電磁屏蔽窗、觸摸屏、液晶面板、太陽能電池、發光二極管等領域，被作為智能窗口材料、加熱導體、電磁屏蔽材料、薄膜電容材料、透明導電電極等而得到廣泛的應用。TCO薄膜材料主要有CdO、In2O3、SnO2和ZnO等氧化物及其相應的復合多元化合物半導體材料。電子工業的飛速發展對透明導電...
真空燒結爐是一種瓷坯在真空條件下燒結的方法，氧化物陶瓷坯體的氣孔中含有的水蒸氣、氫、氧等氣體在燒結過程中借溶解、擴散沿著坯體晶界或通過晶粒可從氣孔中逸出。但其中的一氧化碳、二氧化碳，特別是氮，由于溶解度較低，不易從氣孔中逸出，致使制品內含有氣孔，致密度下降。如將坯體在真空條件下燒結，則所有氣體在坯體尚未*燒結前就會從氣孔中逸出，使制品不含氣孔，從而提高制品的致密度。在高溫和一定的真空度下，使具有一定形狀的陶瓷坯體經物理化學過程變為致密、堅硬、體積穩定、具有一定性能的燒結體。物...
近30年來，復合裝甲中一般采用金屬與非金屬組成的多層結構，由外層裝甲鋼和背板裝甲組成集體，非金屬材料（陶瓷、增強纖維）充填其中。常見的陶瓷材料有氧化鋁、碳化硅、氧化鋯、碳化硼等，增強纖維有玻璃纖維、碳纖維和芳綸纖維等。下面以碳化硼復合靶板為例，介紹下其制備及抗彈測試過程。復合靶板結構及封裝復合裝甲陶瓷靶板示意圖靶板從左到右依次為鋁合金面板、4層玻纖布、鋁合金邊框及陶瓷片、2層玻纖布、鋁合金背板、45號鋼基板。采用鋁合金邊框對陶瓷塊進行二維約束，再將玻纖布平鋪在陶瓷層的正面和背...
氣壓燒結爐主要供企業在高氣壓保護氣氛條件下對EC陶瓷（如碳化硅、氧化鋯、氧化鋁、氮化硅等）及金屬材料（如硬質合金）等進行熱等靜壓燒結處理，同時也適用大專院校、科研單位進行中試批量生產用。適用于氮化硅陶瓷球、陶瓷刀具等材料在高壓氮氣或氬氣氣氛內進行燒結。有利于增加材料的燒結密度，提高材料的機械性能。氣壓燒結爐的結構說明：氣壓爐是由電爐加熱系統、水冷系統、真空系統、充氣及氣壓控制系統、電氣控制系統及工作平臺等組成。電爐結構：電爐體采用雙層水冷結構，保持爐殼溫度不超過60℃，內部有...
碳化硼是一種新型非氧化陶瓷材料，因其具有熔點高、硬度高、密度低、熱穩定性好，抗化學侵蝕能力強和中子吸收能力強等特點而被廣泛應用于能源、軍事、核能以及防彈領域。碳化硼又稱黑鉆石，是僅次于金剛石和立方氮化硼的第三硬材料，故成為超硬材料家族中的重要成員。目前碳化硼防彈材料主要通過燒結法制備，不過碳化硼是共價鍵很強的陶瓷材料，共價鍵占90%以上，而且碳化硼的塑性差，品界移動阻力很大，固態時表面張力很小，從而決定了碳化硼是一種極難燒結的陶瓷材料。純碳化硼在燒結過程中通常存在燒結溫度高、...
陶瓷材料擁有許多吸引力的性能，包括高比剛度、高比強度和在許多環境下的化學惰性。同時，因其相對于金屬的低密度、高硬度和高抗壓強度，使其在裝甲系統上的應用十分具有吸引力，己成為一種廣泛應用于防彈衣、車輛和飛機等裝備的防護裝甲。裝甲陶瓷材料在實際應用時，通常以復合裝甲的形式出現。普遍應用在附加頂、艙蓋、排氣板、炮塔座圈、防彈玻璃、樞軸架等裝甲構件中以及坦克車輛的下車體；還用于制造軀干板、側板、車輛門和駕駛員座椅。在主戰坦克中，目前德國的豹-II，英國的挑戰者系列，以色列的梅卡瓦，美...
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