碳化硅單晶材料的制備及缺陷分析

以硅（Si）、砷化鎵（GaAs）為代表的代和第二代半導(dǎo)體材料的高速發(fā)展，推動(dòng)了微電子、光電子技術(shù)的迅猛發(fā)展。然而受材料性能所限，這些半導(dǎo)體材料制成的器件大都只能在200℃以下的環(huán)境中工作，不能滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高頻、高壓以及抗輻射器件的要求。作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料的代表，碳化硅（SiC）單晶材料具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等性質(zhì)。SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和航天、軍工、核能等環(huán)境應(yīng)用領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢(shì)，彌補(bǔ)了傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料器件在實(shí)際應(yīng)用中的缺陷，正逐漸成為功率半導(dǎo)體的主流。

半導(dǎo)體碳化硅單晶的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)

SiC晶體結(jié)構(gòu)具有同質(zhì)多型的特點(diǎn)，其基本結(jié)構(gòu)是Si-C四面體結(jié)構(gòu)，它是由四個(gè)Si原子形成的四面體包圍一個(gè)碳原子組成，按相同的方式一個(gè)Si原子也被四個(gè)碳原子的四面體包圍，屬于密堆積結(jié)構(gòu)。SiC多型晶體的晶格常數(shù)a可以看作常數(shù)，而晶格常數(shù)c不同，并由此構(gòu)成了數(shù)目很多的SiC同質(zhì)多型體。若把這些多型體看作是由六方密堆積的Si層組成，緊靠著Si原子有一層碳原子存在，在密排面上Si-C雙原子層有三種不同的堆垛位置，稱為A、B和C。由于Si-C雙原子層的堆垛順序不同，就會(huì)形成不同結(jié)構(gòu)的SiC晶體。ABC…堆積形成3C-SiC結(jié)構(gòu)，ABAC…堆積形成4H-SiC結(jié)構(gòu)，ABCACB…堆積形成6H-SiC結(jié)構(gòu)。這些晶型屬于三種基本的結(jié)晶學(xué)類型：立方（C）、六方（H）和菱形（R），目前已被證實(shí)的SiC多形體已超過200種，其中較為常見的有3C、4H、6H和15R等。

這些多型的SiC晶體雖然具有相同的化學(xué)成分，但是它們的物理性質(zhì)，尤其是帶隙、載流子遷移率、擊穿電壓等半導(dǎo)體特性有很大的差別。目前，4H-SiC應(yīng)用廣，廣泛應(yīng)用于電力電子器件和微波功率器件。

碳化硅單晶的制備方法

通常半導(dǎo)體材料的晶錠生長是采用元素半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體熔融液中的直拉單晶法或籽晶凝固法。然而由于熱動(dòng)力學(xué)原因，固態(tài)SiC只有在壓強(qiáng)超過1×10⁵atm、溫度超過3200℃時(shí)才會(huì)熔化。目前，晶體生長實(shí)驗(yàn)室及工廠所擁有的技術(shù)手段還無法達(dá)到這樣的要求。迄今為止，物理氣相傳輸法（PVT）是生長大尺寸、高質(zhì)量SiC單晶的方法，也稱為改良的Lely法或籽晶升華法，這種方法占據(jù)了SiC圓晶供應(yīng)量的90%以上。此外，高溫化學(xué)氣相沉積法（HTCVD）也可以用來制備SiC單晶。

物理氣相傳輸法

PVT法生長SiC單晶一般采用感應(yīng)加熱方式，在真空下或惰性氣體氣氛保護(hù)的石墨坩堝中，以高純SiC粉為原料，在一定的溫度和壓力下，固態(tài)SiC粉在高溫下發(fā)生分解升華，生成具有一定結(jié)構(gòu)形態(tài)的氣相組分SimCn，由于石墨坩堝反應(yīng)腔軸向存在著溫度梯度，氣相組分SimCn從溫度相對(duì)較高的生長原料區(qū)向溫度相對(duì)較低的生長界面（晶體/氣相界面）運(yùn)動(dòng)，并在SiC籽晶上沉積與結(jié)晶。如果這個(gè)過程持續(xù)一定時(shí)間，生長界面將穩(wěn)定地向原料區(qū)推移，終生成SiC晶體。

PVT法采用SiC籽晶控制所生長晶體的構(gòu)型，克服了Lely 法自發(fā)成核生長的缺點(diǎn)，可得到單一構(gòu)型的SiC 單晶，生長出較大尺寸的SiC 單晶，生長壓力在一個(gè)大氣壓（1atm）以內(nèi)，生長溫度在2000℃-2500℃之間，遠(yuǎn)低于熔體生長所需的壓力和溫度。PVT法生長SiC晶體需要建立一個(gè)合適的溫場，從而確保從高溫到低溫形成穩(wěn)定的氣相SiC輸運(yùn)流，并確保氣相SiC能夠在籽晶上成核生長。然而，在晶體生長過程中涉及到多個(gè)生長參數(shù)的動(dòng)態(tài)控制問題，而這些工藝參數(shù)之間又是相互制約的，因此該方法生長SiC單晶的過程難于控制。此外，生長過程中SiC粉料不斷碳化也會(huì)對(duì)氣相組成以及生長過飽和度造成一定的影響。諸多因素使得目前上只有少數(shù)幾個(gè)機(jī)構(gòu)掌握了PVT法生長SiC單晶的關(guān)鍵技術(shù)。

高溫化學(xué)氣相沉積法

HTCVD法制備SiC晶體一般利用感應(yīng)射頻或石墨托盤電阻加熱使反應(yīng)室保持所需要的反應(yīng)溫度，反應(yīng)氣體SiH4和C2H4由H2或He載帶通入反應(yīng)器中，在高溫下發(fā)生分解生成SiC并附著在襯底材料表面，SiC晶體沿著材料表面不斷生長，反應(yīng)中產(chǎn)生的殘余氣體由反應(yīng)器上的排氣孔排除。通過控制反應(yīng)器容積的大小、反應(yīng)溫度、壓力和氣體的組分等，得到準(zhǔn)確的工藝條件。

該方法已經(jīng)被用于在晶體生長工藝中獲得高質(zhì)量外延材料，瑞典的Okmetic公司于20世紀(jì)90年代開始研究此技術(shù)，并且在歐洲申請(qǐng)了該技術(shù)。這種方法可以生長高純度、大尺寸的SiC晶體，并有效的減少晶體中的缺陷。但如何阻止SiC在生長系統(tǒng)中的沉積也是該方法所面臨的主要問題。

碳化硅單晶的主要缺陷

提高SiC晶體質(zhì)量，就意味著必須降低晶體中的缺陷， PVT法生長SiC單晶需要控制的工藝參數(shù)較多，并且這些參數(shù)在生長過程中不斷發(fā)生變化，所以對(duì)晶體中的缺陷控制比較困難。SiC單晶的缺陷主要包括微管、多型、位錯(cuò)、層錯(cuò)和小角晶界等。由于SiC晶體中一種缺陷的存在往往會(huì)誘發(fā)其它缺陷產(chǎn)生，因此，對(duì)這些缺陷進(jìn)行研究并且在晶體生長過程中對(duì)其進(jìn)行有效的控制，對(duì)于提高SiC晶體質(zhì)量是非常重要的。

微管

微管缺陷嚴(yán)重阻礙了多種SiC器件的商業(yè)化，被稱為SiC器件的“殺手型”缺陷。大多數(shù)關(guān)于微管缺陷形成機(jī)制的討論都是基于微管與大伯格斯矢量超螺形位錯(cuò)相結(jié)合的Frank理論。生長過程中，沿超螺旋位錯(cuò)核心方向的高應(yīng)變能密度會(huì)導(dǎo)致該處優(yōu)先升華，因此微管缺陷具有空心的特征。微管缺陷的產(chǎn)生往往會(huì)伴隨其它過程的出現(xiàn)，如微管道分解、遷移、轉(zhuǎn)變和重新結(jié)合等，并且隨著晶體直徑的增加，控制所有生長參數(shù)達(dá)到所需的精度越來越困難，微管缺陷的密度也會(huì)隨之增加。

盡管微管的形成具有不同的理論和技術(shù)方面的原因，通過對(duì)生長工藝的改進(jìn)，過去幾年里SiC單晶的微管密度仍然在持續(xù)下降。2000年，Müller等介紹了Cree公司制備出的直徑為25mm的無微管缺陷4H-SiC晶片，直徑為50mm的4H-SiC晶片的微管密度僅為1.1cm-1，這種質(zhì)量的材料已經(jīng)被證明非常適合制造大面積功率器件。2009年Gupta等發(fā)表文章稱，美國Ⅱ-Ⅵ公司制備出直徑為106.4mm的半絕緣6H-SiC晶錠，其晶片微管密度在2～8cm-2范圍內(nèi)。2009年Schmitt等介紹了德國SiCrystal公司在提高3inch 4H-SiC晶片結(jié)晶質(zhì)量上取得的進(jìn)展，其晶片微管密度小于0.1cm-2。2009年，Leonard等報(bào)道了Cree公司出品的經(jīng)KOH腐蝕的無微管100mm 4H-SiC晶片。2009年，Gao等人采用升華法在面為籽晶的6H-SiC單晶中得到了無微管的高質(zhì)量單晶區(qū)。目前山東天岳生產(chǎn)的4英寸4H-SiC晶片，其微管密度為0.3cm-2。近來，隨著技術(shù)的進(jìn)步，減少甚至*消除這類缺陷已成為可能。

多型

確保單一晶型對(duì)于SiC單晶襯底是非常重要的，晶型的轉(zhuǎn)變不但會(huì)嚴(yán)重破壞SiC晶體的結(jié)晶完整性、改變材料的電學(xué)特性，還為微管缺陷提供了成核點(diǎn)，并延伸至晶錠的其余部分。不同SiC晶型之間的本質(zhì)區(qū)別就在于<0001>晶向上Si-C雙原子層的堆垛順序發(fā)生了改變。當(dāng)堆垛次序保持不變時(shí)，SiC晶體的晶型就不會(huì)改變。當(dāng)晶體生長是通過SiC生長表面上臺(tái)階的繁殖進(jìn)行時(shí)，相對(duì)容易保持單一類型。然而，SiC生長過程中有一個(gè)臺(tái)階聚集的傾向，這就會(huì)形成大的臺(tái)面，臺(tái)階邊緣數(shù)量的減少，會(huì)使得到達(dá)的Si和C原子可能無法擴(kuò)散到臺(tái)階邊緣，而在臺(tái)面中心形成新的晶核，這些新晶核可能具有與底層材料不同的雙層堆垛次序，從而導(dǎo)致晶型的改變。

在晶體生長過程中，各種晶型的SiC晶體不存在固定的形成溫度范圍。溫度、雜質(zhì)、壓力、過飽和度、籽晶取向和極性以及生長區(qū)Si/C原子比，都會(huì)影響到SiC多型結(jié)構(gòu)的形成。由于多型共生會(huì)對(duì)晶體的結(jié)晶質(zhì)量產(chǎn)生致命的影響，從某種意義上說，如何抑制和消除多型共生缺陷，是PVT法SiC晶體生長研究的一個(gè)重要任務(wù)。

小角晶界

在晶體生長過程中，由于氣相組分過飽和使晶坯邊緣進(jìn)行擇優(yōu)生長，從而產(chǎn)生了偏離籽晶方向的晶格失配區(qū)域，在晶格失配區(qū)域，不同晶向的晶粒之間形成晶界。晶界通常由擴(kuò)展邊緣和螺旋位錯(cuò)構(gòu)成，并貫穿整個(gè)晶錠，這對(duì)器件結(jié)構(gòu)是致命的。靠近晶體邊緣的小角晶界是大直徑晶體在非優(yōu)化工藝條件下生長時(shí)形成的，它是SiC材料中具有輕度位錯(cuò)的不同區(qū)域之間的交界，小角晶界作為應(yīng)力中心，增加了外延生長過程中晶片在缺陷處破裂的可能性，因此應(yīng)盡量減少或消除晶體中小角晶界的密度。通過觀察同一個(gè)晶棒不同生長階段晶片的KOH腐蝕形貌，發(fā)現(xiàn)沿著<1-100>方向的小角晶界是在生長過程中刃位錯(cuò)的滑移引入的，而不是在生長初期形成的。生長室內(nèi)的徑向溫度梯度對(duì)小角晶界的結(jié)構(gòu)和形貌具有一定的影響，小的徑向溫度梯度可以減少小角晶界的位錯(cuò)形成。

應(yīng)力

SiC晶體中的應(yīng)力通常是指在沒有外力或外力矩的作用下在晶體內(nèi)部依然存在并保持自身平衡的力。SiC晶體中的應(yīng)力來源有很多，主要有兩種，一種是來源于SiC晶體匯總各種缺陷，如前所述的缺陷與周圍的正常格點(diǎn)之間產(chǎn)生畸變，導(dǎo)致在缺陷的周圍出現(xiàn)一定的應(yīng)力場。如微管道缺陷就會(huì)在其周圍形成一定的應(yīng)力場。另一種是由于SiC晶體的非均勻性生長造成的，PVT法生長SiC晶體過程中溫度梯度是晶體生長的驅(qū)動(dòng)力，在坩堝內(nèi)同時(shí)存在著軸向和徑向的溫度梯度。溫度梯度的存在導(dǎo)致SiC表面生長速率的不一致，從而使大部分生長出的SiC晶錠表面呈現(xiàn)凸起或凹陷的現(xiàn)象。此外，SiC晶體中的熱應(yīng)力還受晶體形狀、籽晶與石墨蓋的粘接方式、晶體與坩堝壁的接觸等有關(guān)，這些因素會(huì)導(dǎo)致在生長出的SiC晶體中不可避免的存在著軸向和徑向的應(yīng)力場。

碳化硅單晶材料的發(fā)展前景展望

與半導(dǎo)體Si單晶材料類似，SiC單晶材料的發(fā)展方向也是向著單晶直徑逐漸擴(kuò)大、晶體質(zhì)量逐漸提高、單位面積成本逐漸降低的趨勢(shì)發(fā)展。目前SiC的主要應(yīng)用領(lǐng)域有LED照明、雷達(dá)、太陽能逆變，未來SiC器件將在智能電網(wǎng)、電動(dòng)機(jī)車、通訊等領(lǐng)域擴(kuò)展其用途，市場前景不可估量。隨著SiC晶體生產(chǎn)成本的降低，SiC材料正逐步取代Si材料成為功率半導(dǎo)體材料的主流，打破Si芯片由于材料本身性能而產(chǎn)生的瓶頸，SiC材料將會(huì)給電子產(chǎn)業(yè)帶來革命性的變革。

上海皓越真空設(shè)備有限公司，一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售電爐為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司一直專注于半導(dǎo)體材料、碳材料、先進(jìn)陶瓷與復(fù)合材料和鋰電材料四大行業(yè)，擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)，竭誠服務(wù)于客戶，提供一體化產(chǎn)業(yè)解決方案。